IGBT即Insulated Gate Bipolar Transistor，是一种新型的半导体器件，它结合了晶体管的高效控制和场效应晶体管低压控制的特点，具有功率密度高、速度快、开关能力强等特点，被广泛应用在高压、大电流领域。可用于电机控制、电源管理、电力传输等领域。
首次出现的IGBT仅能承受数百伏特的高压，但随着技术的不断进步，其承受高压已经达到数千伏特，甚至更高。其能力虽然最初仅用于直流电流，但现在已广泛应用于交流电流。IGBT的优点在于可承受大电流、高电压，所以常被用于电力系統的开关控制。
